Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est
19-20 juin 2019

Programme

 

 

 

Vous pouvez télécharger le programme :

Programme SCOPE 2019

 

 

 

Conférences invitées

Ciro Chiappini - King's College London - Nanomaterials and Biointerfaces Lab (UK)
"High aspect ratio porous silicon nanostructures for drug delivery and biosensing"

Anne-Chantal Gouget - Laboratoire de Physique de la Matière Condensée (France)
"Functionalization of oxide-free silicon surfaces"

Yannick Coffinier - Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
"Fabrication of silicon nanostructures via MACE method and their applications"

Objectifs

Nous vous convions aux 5ièmes journées SemiConducteurs et Oxyde Poreux qui se tiendront à Paris les 19 et 20 juin 2019.

L'objectif de ces journées est de réunir au niveau national les acteurs français et francophones impliqués dans la recherche sur le silicium et les semi-conducteurs/oxydes poreux et leurs applications.

Cette 5ième édition des journées SCOPe sera l’occasion pour notre communauté de partager nos dernières avancées dans le domaine et de promouvoir la jeune génération.

Les doctorants et post-doctorants seront prioritaires pour les présentations orales.

Thèmatiques abordées :

  • Elaboration, techniques de fabrication, structures
  • Luminescence et photonique
  • Microélectronique
  • Systèmes et intégration
  • Coatings fonctionnels
  • Capteurs
  • Photovoltaïque
  • Matériaux d’électrodes, énergie, conversion, stockage
  • Imagerie médicale, thérapie

Frais de participation

Etudiants, Post-docs : 65€

Universitaires, Académiques : 95€

Industriels : 180€

*Les frais de participation couvrent les pauses café, les 2 déjeuners.

Présentation

Un intérêt nouveau pour les semi-conducteurs poreux a émergé dans la communauté scientifique dans les années 90, notamment grâce à la découverte de la photoluminescence du Si poreux. Les procédés électrochimiques sont devenus des méthodes phares de nano-structuration de la plupart des semi-conducteurs (Si, GaAs, InP, etc…) et ont permis la génération de réseaux poreux auto-ordonnés (Al2O3, TiO2, etc…). Ils ont dès lors été largement étudiés car ils ont ouvert des perspectives pour la fabrication de nano-objets à propriétés nouvelles, en particulier électroniques et optiques. Par la suite, les domaines d’applications potentielles de ces structures anodiques poreuses, n’ont cessé de croître et d’évoluer.  En particulier, le Si poreux dotés de fonctionnalités variées a révélé un potentiel considérable pour des applications en opto- et microélectronique, systèmes, capteurs, matériaux pour l’énergie, ainsi que pour la nanomédecine.

Aujourd’hui, le silicium et les semi-conducteurs poreux sont au cœur des intérêts scientifiques de nombreuses équipes de recherche dans le monde entier, attirant l’attention de chimistes, de physiciens, de biologistes et de médecins.

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Appel à communications

 Template pour les résumés

Les résumés peuvent être soumis et présentés en langue française ou anglaise.

Abstracts may be submitted and presented in English or French language.

   

DATES IMPORTANTES

26 avril 2019 :

date limite pour l’envoi des résumés

24 mai 2019 :

clôture des inscriptions

19-20 juin 2019 :

Journées SCOPe 2019

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